这是一门专门为从零开始学习集成电路知识学生开设的课程，它基本涵盖了微电子学专业硕博士研究生入学专业考试的主要内容。半导体器件物理课是微电子学，半导体光电子学和电子科学与技术等专业本科生必修的主干专业基础课。它的前修课程是固体物理学和半导体物理学，后续课程是半导体集成电路等专业课，是国家重点学科微电子学与固体电子学硕士研究生入学考试专业课。本课程的教学目的和要求是使学生掌握半导体器件的基本结构、物理原理和特性，熟悉半导体器件的主要工艺技术及其对器件性能的影响，了解现代半导体器件的发展过程和发展趋势，对典型的新器件和新的工艺技术有所了解，为进一步学习相关的专业课打下坚实的理论基础。

课程目录：

01 双极晶体管的直流特性1

02 双极晶体管的直流特性2

03 双极晶体管的直流伏安特性定量分析1

04 双极晶体管的直流伏安特性定量分析2

05 双极晶体管的直流伏安特性定量分析3

06 双极晶体管的直流伏安特性定量分析4

07 绪论1

08 绪论2

09 双端MOS结构的岁外栅压的电荷能带变化

10 双端MOS结构的反型状态特点

11 双端MOS结构的耗尽层

12 双端MOS结构的金属和半导体的功函数差

13 双端MOS结构的平带电压

14 双端MOS结构的阀值电压

15 MOS电容的抱负CV特性

16 MOS电容CV曲线的频率特性和非抱负特性

17 MOSFET的基本结构和分类

18 MOSFET的基本工作原理

19 金属氧化物半导体场效应晶体管基础1

20 金属氧化物半导体场效应晶体管基础2

21 MOSFET的漏电导和衬底偏置效应

22 MOSFET的频率特性

23 MOSFET的开关特性1

24 MOSFET的开关特性2

25 MOSFET的温度特性和噪声特性

26 MOSFET的邦畿和器件设计

27 MOSFET的亚阀值特性

28 MOSFET的沟道长度调制效应

29 MOSFET的迁移率受垂直电场的影响

30 MOSFET的速度饱和特性

31 阀值电压随沟长和沟宽的变化

32 阀值电压的离子注入调整技术

33 MOSFET的击穿特性

34 LDD结构的MOSFET

35 MOSFET概念深入1

36 MOSFET概念深入2

37 MOSFET概念深入3

38 MOSFET概念深入4

39 结型场效应器件1

40 结型场效应器件2

41 结型场效应器件3

42 结型场效应器件4

43 结型场效应器件5

44 结型场效应器件6

45 结型场效应器件7

46 结型场效应器件8

47 结型场效应器件9

48 结型场效应器件10

49 结型场效应器件11

50 结型场效应器件12

51 结型场效应器件13

52 结型场效应器件14

53 结型场效应器件15

54 结型场效应器件16